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GT Advanced Technologies宣布其前沿HiCz(TM)技术赢得光伏项目

编辑: 来源: solarzoom光伏太阳能网 发表时间: 2014-06-18 已浏览 字号:

 

GT Advanced Technologies Inc.(纳斯达克代码:GTAT)今日宣布,企业专有的新一代HiCz连续加料直拉技术赢得了一个新项目,可望促进太阳能产业向更高效率及更低成本的太阳能材料过渡。 企业与Qatar Solar Energy(QSE)达成协议,向QSE于卡塔尔在多哈的集成光伏制造项目提供HiCz(TM)200熔炉。 QSE在最近的一份资讯稿中表示,QSE已实现了300 MW产能的综合设施,并将进一步扩大至2.5 GW。 该供应协议须待QSE通过政府批准及融资成功后方可作实,届时GT将获得来自QSE的设备订单。

“美高梅官方网站很高兴GT能被选择为QSE提供HiCz(TM)200单晶熔炉,”GT太阳能业务部行政副总裁Dave Keck表示。 “美高梅官方网站领先的HiCz技术被中东及北非地区首个垂直一体化光伏制造厂所采用,对GT来说这是一个令人兴奋的机会。 GT HiCz 200熔炉可望生产效率超过22%的优质n型太阳能电池片。”

HiCzGT专有的新一代光伏行业的单晶直拉炉,可生产p型及n型单晶晶棒。 HiCz连续加料长晶工艺比传统的间歇式Cz熔炉更具明显优势,使得其更适合n型硅锭生产。HiCz长晶工艺生产更长的晶棒、材料均匀性更高、电阻率更低。该工艺流程通过增加产量降低晶片的成本,提高了材料品质,并有助于提高太阳能电池片的效率。

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